发布日期:2024-09-11 01:18 点击次数:173
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凸点材料与制备技艺
凸点按材料分为金(Au)凸点、铜/镍/金(Cu/Ni/Au)凸点、铜柱凸点、锡/铅(Sn/Pb)凸点和锡/银/铜(Sn/Ag/Cu)凸点等。按结构和边幅可分为蘑菇形、直状、圆柱形、球形、迭层、左近形、小型和面阵凸点等。
凸点的制备技艺多达12种,常见的有挥发溅射法、电镀法、化学镀法、机械打球法、焊膏印刷法和植球法等。其中,电镀法是晶圆级凸点的主要制备技艺,通过电化学千里积在PVD种子层上千里积金属。采用电镀制备的晶圆凸点高度均匀性优异,一般物化在5%以内,且工艺可控,适用于细间距高密度的微凸点制造。现时,校园春色电镀技能照旧闇练,好像终了小于10μm直径的晶圆凸点制造,闲居哄骗于图像处分器、存储器芯片、ASIC(专用集成电路)、FPGA(现场可编程门阵列)等居品中。
凸点制备技艺
动漫英文凸点材料与制备技能
凸点键合工艺先容
倒装回流焊和热压键合工艺经由
(起首:John H. Lau《Fan-out Wafer-Level Packaging》)
晶圆级凸点技能的高出也促进了凸点键合技能的发展。当凸点间距从200 μm松开至50 μm时,键合工艺从回流焊升级为TCB(热压键合);当间距进一步松开到10 μm时,混杂键合工艺成为必要。
由于高产率和自瞄准效应,倒装回流焊(MR)成为C4或铜柱焊料凸点最常用的键合技艺,闲居哄骗于大型筹划机、职业器、网罗及电信ASICs中。其工艺经由如图二a所示:芯片的凸点蘸取助焊剂后,通过贴片工艺与基底的UBM对位运动,经过回流焊合造成金属键合,终末清洗助焊剂并进行底部填充以升迁可靠性。
连年来,针对高密度、细间距凸点的Chip to Wafer(C2W)和Chip to Substrate(C2S)TCB工艺从容受到风趣。TCB工艺主要分为低键协力热压(TC-MUF技能)和高键协力热压(TC-NCP、TC-NCF技能),后者需要使用NCP和NCF材料。
当凸点间距松开到20 μm以下时911sss,Cu-Cu混杂键合技能成为必需。Cu-Cu混杂焊合包括名义清洗、氧化物去除、名义活化(湿法清洗和等离子体活化)、光学校准和加热键合。