911sss

凸点材料与制备技艺

凸点按材料分为金（Au）凸点、铜/镍/金（Cu/Ni/Au）凸点、铜柱凸点、锡/铅（Sn/Pb）凸点和锡/银/铜（Sn/Ag/Cu）凸点等。按结构和边幅可分为蘑菇形、直状、圆柱形、球形、迭层、左近形、小型和面阵凸点等。

凸点的制备技艺多达12种，常见的有挥发溅射法、电镀法、化学镀法、机械打球法、焊膏印刷法和植球法等。其中，电镀法是晶圆级凸点的主要制备技艺，通过电化学千里积在PVD种子层上千里积金属。采用电镀制备的晶圆凸点高度均匀性优异，一般物化在5%以内，且工艺可控，适用于细间距高密度的微凸点制造。现时，校园春色电镀技能照旧闇练，好像终了小于10μm直径的晶圆凸点制造，闲居哄骗于图像处分器、存储器芯片、ASIC（专用集成电路）、FPGA（现场可编程门阵列）等居品中。

凸点制备技艺

凸点材料与制备技能

凸点键合工艺先容

倒装回流焊和热压键合工艺经由

（起首：John H. Lau《Fan-out Wafer-Level Packaging》）

晶圆级凸点技能的高出也促进了凸点键合技能的发展。当凸点间距从200 μm松开至50 μm时，键合工艺从回流焊升级为TCB（热压键合）；当间距进一步松开到10 μm时，混杂键合工艺成为必要。

由于高产率和自瞄准效应，倒装回流焊（MR）成为C4或铜柱焊料凸点最常用的键合技艺，闲居哄骗于大型筹划机、职业器、网罗及电信ASICs中。其工艺经由如图二a所示：芯片的凸点蘸取助焊剂后，通过贴片工艺与基底的UBM对位运动，经过回流焊合造成金属键合，终末清洗助焊剂并进行底部填充以升迁可靠性。

连年来，针对高密度、细间距凸点的Chip to Wafer（C2W）和Chip to Substrate（C2S）TCB工艺从容受到风趣。TCB工艺主要分为低键协力热压（TC-MUF技能）和高键协力热压（TC-NCP、TC-NCF技能），后者需要使用NCP和NCF材料。

当凸点间距松开到20 μm以下时911sss，Cu-Cu混杂键合技能成为必需。Cu-Cu混杂焊合包括名义清洗、氧化物去除、名义活化（湿法清洗和等离子体活化）、光学校准和加热键合。